SiC pločice su poluvodiči izrađeni od silicijevog karbida.Ovaj je materijal razvijen 1893. godine i idealan je za razne primjene.Posebno pogodan za Schottky diode, Schottky diode sa spojnom barijerom, sklopke i tranzistore s efektom polja metal-oksid-poluvodič.Zbog svoje visoke tvrdoće izvrstan je izbor za energetske elektroničke komponente.
Trenutno postoje dvije glavne vrste SiC pločica.Prva je polirana pločica, koja je jednostruka pločica od silicij karbida.Izrađen je od SiC kristala visoke čistoće i može biti promjera 100 mm ili 150 mm.Koristi se u elektroničkim uređajima velike snage.Drugi tip je epitaksijalna kristalna pločica od silicij karbida.Ova vrsta pločice izrađuje se dodavanjem jednog sloja kristala silicij karbida na površinu.Ova metoda zahtijeva preciznu kontrolu debljine materijala i poznata je kao N-tip epitaksije.
Sljedeća vrsta je beta silicijev karbid.Beta SiC se proizvodi na temperaturama iznad 1700 stupnjeva Celzijusa.Alfa karbidi su najčešći i imaju heksagonalnu kristalnu strukturu sličnu wurtzitu.Beta oblik sličan je dijamantu i koristi se u nekim primjenama.Uvijek je bio prvi izbor za poluproizvode za pogon električnih vozila.Nekoliko trećih dobavljača pločica od silicij karbida trenutno radi na ovom novom materijalu.
ZMSH SiC pločice su vrlo popularni poluvodički materijali.To je visokokvalitetni poluvodički materijal koji je vrlo prikladan za mnoge primjene.ZMSH pločice od silicijevog karbida vrlo su koristan materijal za razne elektroničke uređaje.ZMSH isporučuje širok raspon visokokvalitetnih SiC pločica i podloga.Dostupni su u N-tipu i poluizoliranim oblicima.
2---Silicij karbid: prema novoj eri pločica
Fizikalna svojstva i karakteristike silicijevog karbida
Silicijev karbid ima posebnu kristalnu strukturu, koristeći heksagonalnu zbijenu strukturu sličnu dijamantu.Ova struktura omogućuje silicijevom karbidu izvrsnu toplinsku vodljivost i otpornost na visoke temperature.U usporedbi s tradicionalnim silicijskim materijalima, silicijev karbid ima veću širinu zabranjenog pojasa, što omogućuje veći razmak između vrpci elektrona, što rezultira većom pokretljivošću elektrona i manjom strujom curenja.Osim toga, silicijev karbid također ima veću brzinu drifta zasićenja elektronima i niži otpor samog materijala, pružajući bolju izvedbu za aplikacije velike snage.
Slučajevi primjene i izgledi pločica od silicij-karbida
Primjene energetske elektronike
Pločica od silicijevog karbida ima široku primjenu u području energetske elektronike.Zbog svoje visoke mobilnosti elektrona i izvrsne toplinske vodljivosti, SIC pločice se mogu koristiti za proizvodnju sklopnih uređaja visoke gustoće snage, kao što su moduli napajanja za električna vozila i solarni pretvarači.Visokotemperaturna stabilnost pločica od silicij-karbida omogućuje ovim uređajima rad u okruženjima visoke temperature, pružajući veću učinkovitost i pouzdanost.
Optoelektroničke primjene
U području optoelektroničkih uređaja, pločice od silicij-karbida pokazuju svoje jedinstvene prednosti.Silicij-karbidni materijal ima karakteristike širokog zabranjenog pojasa, što mu omogućuje postizanje visoke fotononske energije i malog gubitka svjetla u optoelektroničkim uređajima.Pločice od silicij karbida mogu se koristiti za pripremu komunikacijskih uređaja velike brzine, fotodetektora i lasera.Njegova izvrsna toplinska vodljivost i niska gustoća kristalnih defekata čine ga idealnim za pripremu visokokvalitetnih optoelektroničkih uređaja.
Outlook
Uz sve veću potražnju za elektroničkim uređajima visokih performansi, pločice od silicij-karbida imaju obećavajuću budućnost kao materijal s izvrsnim svojstvima i širokim potencijalom primjene.Uz kontinuirano poboljšanje tehnologije pripreme i smanjenje troškova, promovirat će se komercijalna primjena pločica od silicij karbida.Očekuje se da će u sljedećih nekoliko godina pločice od silicijevog karbida postupno ući na tržište i postati glavni izbor za aplikacije velike snage, visoke frekvencije i visoke temperature.
3---Dubinska analiza tržišta SiC pločica i tehnoloških trendova
Detaljna analiza pokretača tržišta pločica od silicij-karbida (SiC).
Na rast tržišta pločica od silicijevog karbida (SiC) utječe nekoliko ključnih čimbenika, a dubinska analiza utjecaja tih čimbenika na tržište je ključna.Evo nekih od ključnih pokretača tržišta:
Ušteda energije i zaštita okoliša: Visoka učinkovitost i niska potrošnja energije materijala od silicij karbida čine ga popularnim u području uštede energije i zaštite okoliša.Potražnja za električnim vozilima, solarnim pretvaračima i drugim uređajima za pretvorbu energije pokreće rast tržišta pločica od silicij karbida jer pomaže u smanjenju rasipanja energije.
Primjene u energetskoj elektronici: Silicij-karbid se ističe u primjenama u energetskoj elektronici i može se koristiti u energetskoj elektronici pod visokim tlakom i visokim temperaturama.S popularizacijom obnovljive energije i promicanjem prijelaza na električnu energiju, potražnja za pločicama od silicij karbida na tržištu energetske elektronike nastavlja rasti.
Detaljna analiza budućih trendova razvoja tehnologije proizvodnje SiC pločica
Masovna proizvodnja i smanjenje troškova: Buduća proizvodnja SiC pločica više će se fokusirati na masovnu proizvodnju i smanjenje troškova.To uključuje poboljšane tehnike rasta kao što su kemijsko taloženje iz pare (CVD) i fizičko taloženje iz pare (PVD) za povećanje produktivnosti i smanjenje troškova proizvodnje.Osim toga, očekuje se da će usvajanje inteligentnih i automatiziranih proizvodnih procesa dodatno poboljšati učinkovitost.
Nova veličina i struktura pločica: Veličina i struktura pločica SiC može se promijeniti u budućnosti kako bi zadovoljile potrebe različitih aplikacija.To može uključivati pločice većeg promjera, heterogene strukture ili višeslojne pločice kako bi se pružila veća fleksibilnost dizajna i mogućnosti izvedbe.
Energetska učinkovitost i zelena proizvodnja: Proizvodnja SiC pločica u budućnosti stavit će veći naglasak na energetsku učinkovitost i ekološku proizvodnju.Tvornice koje pokreću obnovljivi izvori energije, zeleni materijali, recikliranje otpada i proizvodni procesi s niskom razinom ugljika postat će trendovi u proizvodnji.
Vrijeme objave: 19. siječnja 2024