2 inčne pločice od silicij-karbida 6H ili 4H N-tipa ili poluizolirajuće SiC podloge

4H SiC pločica N-tipa
Promjer: 2 inča 50,8 mm | 4 inča 100 mm | 6 inča 150 mm
Orijentacija: izvan osi 4,0˚ prema <1120> ± 0,5˚
Otpornost: < 0,1 ohm.cm
Hrapavost: Si-face CMP Ra <0,5 nm, C-face optičko poliranje Ra <1 nm

4H SiC pločica Poluizolacija
Promjer: 2 inča 50,8 mm | 4 inča 100 mm | 6 inča 150 mm
Orijentacija: na osi {0001} ± 0,25˚
Otpornost: >1E5 ohm.cm
Hrapavost: Si-face CMP Ra <0,5 nm, C-face optičko poliranje Ra <1 nm

1. 5G infrastruktura -- komunikacijsko napajanje.
Komunikacijsko napajanje je energetska baza za komunikaciju poslužitelja i bazne stanice. Osigurava električnu energiju za različitu opremu za prijenos kako bi se osigurao normalan rad komunikacijskog sustava.

2. Gomila za punjenje novih energetskih vozila -- modul napajanja hrpe za punjenje.
Visoka učinkovitost i velika snaga modula napajanja stupića za punjenje može se ostvariti korištenjem silicij-karbida u modulu napajanja stupića za punjenje, kako bi se poboljšala brzina punjenja i smanjio trošak punjenja.

3. Veliki podatkovni centar, industrijski internet -- napajanje poslužitelja.
Napajanje poslužitelja je knjižnica energije poslužitelja. Poslužitelj osigurava napajanje kako bi se osigurao normalan rad poslužiteljskog sustava. Korištenje komponenti napajanja od silicij karbida u napajanju poslužitelja može poboljšati gustoću snage i učinkovitost napajanja poslužitelja, smanjiti volumen podatkovnog centra u cjelini, smanjiti ukupne troškove izgradnje podatkovnog centra i postići veću ekološku učinkovitost.

4. Uhv - Primjena fleksibilnih prijenosnih istosmjernih prekidača.

5. Međugradska brza željeznica i međugradski željeznički tranzit -- vučni pretvarači, energetski elektronički transformatori, pomoćni pretvarači, pomoćna napajanja.