8 inča 200 mm 4H-N SiC Vafer Vodljiva lažna istraživačka kvaliteta

Kratki opis:

Kako se transportna, energetska i industrijska tržišta razvijaju, potražnja za pouzdanom energetskom elektronikom visokih performansi nastavlja rasti.Kako bi zadovoljili potrebe za poboljšanim performansama poluvodiča, proizvođači uređaja traže poluvodičke materijale sa širokim pojasnim razmakom, kao što je naš portfelj 4H SiC Prime Grade pločica od 4H n tipa silicij karbida (SiC).


Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Zbog svojih jedinstvenih fizičkih i elektroničkih svojstava, 200 mm SiC pločasti poluvodički materijal koristi se za izradu elektroničkih uređaja visokih performansi, visokih temperatura, otpornih na zračenje i visoke frekvencije.Cijena 8-inčne SiC podloge postupno se smanjuje kako tehnologija postaje sve naprednija, a potražnja raste.Nedavni razvoj tehnologije doveo je do proizvodnje 200 mm SiC pločica.Glavne prednosti SiC pločastih poluvodičkih materijala u usporedbi sa Si i GaAs pločama: Snaga električnog polja 4H-SiC tijekom lavinskog sloma je više od reda veličine veća od odgovarajućih vrijednosti za Si i GaAs.To dovodi do značajnog smanjenja otpora u uključenom stanju Ron.Nizak otpor u uključenom stanju, u kombinaciji s visokom gustoćom struje i toplinskom vodljivošću, omogućuje upotrebu vrlo male matrice za energetske uređaje.Visoka toplinska vodljivost SiC-a smanjuje toplinski otpor čipa.Elektronička svojstva uređaja temeljenih na SiC pločicama vrlo su stabilna tijekom vremena i temperaturno stabilna, što osigurava visoku pouzdanost proizvoda.Silicijev karbid je izuzetno otporan na jako zračenje, što ne degradira elektronička svojstva čipa.Visoka granična radna temperatura kristala (više od 6000C) omogućuje vam stvaranje vrlo pouzdanih uređaja za teške radne uvjete i posebne primjene.Trenutačno možemo isporučivati ​​male serije pločica od 200 mmSiC postojano i kontinuirano i imati neke zalihe u skladištu.

Specifikacija

Broj Artikal Jedinica Proizvodnja Istraživanje lutka
1. Parametri
1.1 politip -- 4H 4H 4H
1.2 orijentacija površine ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Električni parametar
2.1 dopant -- n-tip dušika n-tip dušika n-tip dušika
2.2 otpornost ohm · cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3. Mehanički parametar
3.1 promjer mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 debljina μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Orijentacija usjeka ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Dubina zareza mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 LTV μm ≤5(10mm*10mm) ≤5(10mm*10mm) ≤10(10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Nakloniti se μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4. Struktura
4.1 gustoća mikrocijevi ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 sadržaj metala atoma/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Pozitivna kvaliteta
5.1 ispred -- Si Si Si
5.2 Završna obrada -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 čestica ea/napolitanka ≤100 (veličina≥0,3 μm) NA NA
5.4 ogrepsti ea/napolitanka ≤5, Ukupna duljina ≤200 mm NA NA
5.5 Rub
strugotine/udubljenja/pukotine/mrlje/kontaminacija
-- Nijedan Nijedan NA
5.6 Politipska područja -- Nijedan Površina ≤10% Površina ≤30%
5.7 prednja oznaka -- Nijedan Nijedan Nijedan
6. Kvaliteta leđa
6.1 završna obrada -- C-lice MP C-lice MP C-lice MP
6.2 ogrepsti mm NA NA NA
6.3 Stražnji nedostaci rub
čipovi/uvlake
-- Nijedan Nijedan NA
6.4 Hrapavost leđa nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Označavanje leđa -- Usjek Usjek Usjek
7. Rub
7.1 rub -- Iskošenje Iskošenje Iskošenje
8. Paket
8.1 ambalaža -- Epi-ready s vakuumom
ambalaža
Epi-ready s vakuumom
ambalaža
Epi-ready s vakuumom
ambalaža
8.2 ambalaža -- Multi-wafer
pakiranje kazete
Multi-wafer
pakiranje kazete
Multi-wafer
pakiranje kazete

Detaljan dijagram

8 inča SiC03
8 inča SiC4
8 inča SiC5
8 inča SiC6

  • Prethodna:
  • Sljedeći:

  • Ovdje napišite svoju poruku i pošaljite nam je