8 inča 200 mm 4H-N SiC Vafer vodljiva lutka istraživačke kvalitete
Zbog svojih jedinstvenih fizičkih i elektroničkih svojstava, 200 mm SiC pločasti poluvodički materijal koristi se za izradu elektroničkih uređaja visokih performansi, visokih temperatura, otpornih na zračenje i visoke frekvencije.Cijena 8-inčne SiC podloge postupno se smanjuje kako tehnologija postaje sve naprednija i potražnja raste.Nedavni razvoj tehnologije doveo je do proizvodnje 200 mm SiC pločica.Glavne prednosti SiC pločastih poluvodičkih materijala u usporedbi sa Si i GaAs pločama: Snaga električnog polja 4H-SiC tijekom lavinskog sloma je više od reda veličine veća od odgovarajućih vrijednosti za Si i GaAs.To dovodi do značajnog smanjenja otpora u uključenom stanju Ron.Nizak otpor u uključenom stanju, u kombinaciji s visokom gustoćom struje i toplinskom vodljivošću, omogućuje upotrebu vrlo male matrice za energetske uređaje.Visoka toplinska vodljivost SiC-a smanjuje toplinski otpor čipa.Elektronička svojstva uređaja baziranih na SiC pločicama su vrlo stabilna tijekom vremena i temperaturno stabilna, što osigurava visoku pouzdanost proizvoda.Silicijev karbid je izuzetno otporan na jako zračenje, što ne degradira elektronička svojstva čipa.Visoka granična radna temperatura kristala (više od 6000C) omogućuje vam stvaranje visoko pouzdanih uređaja za teške radne uvjete i posebne primjene.Trenutačno možemo stalno i kontinuirano isporučivati male serije pločica od 200 mmSiC i imati nešto zaliha u skladištu.
Specifikacija
Broj | Artikal | Jedinica | Proizvodnja | Istraživanje | lutka |
1. Parametri | |||||
1.1 | politip | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | orijentacija površine | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
2. Električni parametar | |||||
2.1 | dopant | -- | n-tip dušika | n-tip dušika | n-tip dušika |
2.2 | otpornost | ohm · cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
3. Mehanički parametar | |||||
3.1 | promjer | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
3.2 | debljina | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
3.3 | Orijentacija usjeka | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
3.4 | Dubina zareza | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
3.5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Nakloniti se | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
4. Struktura | |||||
4.1 | gustoća mikrocijevi | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | sadržaj metala | atoma/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
5. Pozitivna kvaliteta | |||||
5.1 | ispred | -- | Si | Si | Si |
5.2 | Završna obrada | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
5.3 | čestica | ea/napolitanka | ≤100 (veličina≥0,3 μm) | NA | NA |
5.4 | ogrepsti | ea/napolitanka | ≤5, Ukupna duljina ≤200 mm | NA | NA |
5.5 | Rub strugotine/udubljenja/pukotine/mrlje/kontaminacija | -- | Nijedan | Nijedan | NA |
5.6 | Politipska područja | -- | Nijedan | Površina ≤10% | Površina ≤30% |
5.7 | prednja oznaka | -- | Nijedan | Nijedan | Nijedan |
6. Kvaliteta leđa | |||||
6.1 | završna obrada | -- | C-lice MP | C-lice MP | C-lice MP |
6.2 | ogrepsti | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Stražnji nedostaci rub čipovi/uvlake | -- | Nijedan | Nijedan | NA |
6.4 | Hrapavost leđa | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | Označavanje leđa | -- | Usjek | Usjek | Usjek |
7. Rub | |||||
7.1 | rub | -- | Iskošenje | Iskošenje | Iskošenje |
8. Paket | |||||
8.1 | ambalaža | -- | Epi-ready s vakuumom ambalaža | Epi-ready s vakuumom ambalaža | Epi-ready s vakuumom ambalaža |
8.2 | ambalaža | -- | Multi-wafer pakiranje kazete | Multi-wafer pakiranje kazete | Multi-wafer pakiranje kazete |