6 inčni SiC Epitaxiy pločica N/P tip prihvaća prilagođene
Proces pripreme epitaksijalne pločice od silicijevog karbida je metoda koja koristi tehnologiju kemijskog taloženja parom (CVD).Sljedeći su relevantni tehnički principi i koraci procesa pripreme:
Tehnički princip:
Kemijsko taloženje parom: korištenjem plina sirovog materijala u plinskoj fazi, pod određenim reakcijskim uvjetima, on se razgrađuje i taloži na podlogu kako bi se formirao željeni tanki film.
Reakcija plinske faze: Kroz reakciju pirolize ili krekiranja, različiti sirovinski plinovi u plinskoj fazi kemijski se mijenjaju u reakcijskoj komori.
Koraci procesa pripreme:
Obrada podloge: Podloga se podvrgava površinskom čišćenju i prethodnoj obradi kako bi se osigurala kvaliteta i kristalnost epitaksijalne pločice.
Otklanjanje grešaka u reakcijskoj komori: prilagodite temperaturu, tlak i brzinu protoka reakcijske komore i druge parametre kako biste osigurali stabilnost i kontrolu uvjeta reakcije.
Opskrba sirovinama: dopremite potrebne plinske sirovine u reakcijsku komoru, miješajući i kontrolirajući protok prema potrebi.
Reakcijski proces: Zagrijavanjem reakcijske komore, plinovita sirovina prolazi kroz kemijsku reakciju u komori kako bi se proizveo željeni talog, tj. film silicijevog karbida.
Hlađenje i pražnjenje: Na kraju reakcije, temperatura se postupno snižava da se ohlade i očvrsnu naslage u reakcijskoj komori.
Žarenje epitaksijalne pločice i naknadna obrada: nanesena epitaksijalna pločica se žari i naknadno obrađuje kako bi se poboljšala njena električna i optička svojstva.
Specifični koraci i uvjeti procesa pripreme epitaksijalne pločice od silicij karbida mogu se razlikovati ovisno o specifičnoj opremi i zahtjevima.Gore navedeno je samo opći tijek procesa i princip, specifični rad treba prilagoditi i optimizirati u skladu sa stvarnom situacijom.
Detaljan dijagram
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)