8-inčni SiC pločasti 4H-N SiC supstrat proizvodne kvalitete

8-inčni SiC pločica proizvodne kvalitete 4H-N SiC supstrat Istaknuta slika

Kratki opis:

8-inčni SiC supstrati koriste se u elektroničkim uređajima velike snage, kao što su energetski MOSFET-ovi (metalni oksidni poluvodički tranzistori s efektom polja), Schottky diode i drugi energetski poluvodički uređaji.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Sljedeća tablica prikazuje specifikacije naših 8 inčnih SiC pločica:

Specifikacije SiC DSP od 8 inča N-tipa
Broj	Artikal	Jedinica	Proizvodnja	Istraživanje	lutka
1: parametri
1.1	politip	--	4H	4H	4H
1.2	orijentacija površine	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2:Električni parametar
2.1	dopant	--	n-tip dušika	n-tip dušika	n-tip dušika
2.2	otpornost	ohm · cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3: Mehanički parametar
3.1	promjer	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	debljina	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orijentacija usjeka	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Dubina zareza	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Pramac	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Warp	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4: Struktura
4.1	gustoća mikrocijevi	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	sadržaj metala	atoma/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Kvaliteta prednje strane
5.1	ispred	--	Si	Si	Si
5.2	završna obrada površine	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	čestica	ea/napolitanka	≤100 (veličina≥0,3 μm)	NA	NA
5.4	ogrepsti	ea/napolitanka	≤5, Ukupna duljina ≤200 mm	NA	NA
5.5	Rub strugotine/udubljenja/pukotine/mrlje/kontaminacija	--	Nijedan	Nijedan	NA
5.6	Politipska područja	--	Nijedan	Površina ≤10%	Površina ≤30%
5.7	prednja oznaka	--	Nijedan	Nijedan	Nijedan
6: Kvaliteta leđa
6.1	završna obrada	--	C-lice MP	C-lice MP	C-lice MP
6.2	ogrepsti	mm	NA	NA	NA
6.3	Stražnji nedostaci rub čipovi/uvlake	--	Nijedan	Nijedan	NA
6.4	Hrapavost leđa	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Označavanje leđa	--	Usjek	Usjek	Usjek
7: rub
7.1	rub	--	Iskošenje	Iskošenje	Iskošenje
8: Paket
8.1	pakiranje	--	Epi-ready s vakuumom pakiranje	Epi-ready s vakuumom pakiranje	Epi-ready s vakuumom pakiranje
8.2	pakiranje	--	Multi-wafer pakiranje kazete	Multi-wafer pakiranje kazete	Multi-wafer pakiranje kazete