GaAs laserska epitaksijalna pločica 4 inča 6 inča VCSEL vertikalna šupljina površinske emisije lasera valne duljine 940 nm jednostruki spoj

GaAs laserska epitaksijalna pločica 4 inča 6 inča VCSEL vertikalna šupljina površinske emisije lasera valna duljina 940 nm jednospojnica Istaknuta slika

Kratki opis:

Korisnički specificirani dizajn Gigabit Ethernet laserski nizovi za visoku ujednačenost 6-inčnih pločica 850/940nm centralna optička valna duljina oksid ograničena ili protonom implantirana VCSEL digitalna komunikacija podatkovnom vezom, električne i optičke karakteristike laserskog miša niska osjetljivost na temperaturu. VCSEL-940 Single Junction je laser koji emitira okomitu površinu šupljine (VCSEL) s valnom duljinom emisije obično oko 940 nanometara. Takvi se laseri obično sastoje od jedne kvantne jame i sposobni su za učinkovito emitiranje svjetlosti. Valna duljina od 940 nanometara čini ga u infracrvenom spektru pogodnim za razne primjene. U usporedbi s drugim vrstama lasera, VCsels imaju veću učinkovitost elektro-optičke pretvorbe. VCSEL paket je relativno malen i jednostavan za integraciju. Široka primjena VCSEL-940 učinila ga je važnom ulogom u modernoj tehnologiji.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Glavne karakteristike GaAs laserske epitaksijalne ploče uključuju

1. Struktura s jednim spojem: Ovaj laser obično se sastoji od jedne kvantne jame, koja može pružiti učinkovitu emisiju svjetlosti.
2. Valna duljina: Valna duljina od 940 nm čini ga infracrvenim spektrom, pogodnim za razne primjene.
3. Visoka učinkovitost: U usporedbi s drugim vrstama lasera, VCSEL ima visoku učinkovitost elektro-optičke pretvorbe.
4. Kompaktnost: VCSEL paket je relativno malen i jednostavan za integraciju.

5. Struja niskog praga i visoka učinkovitost: Ukopani heterostrukturni laseri pokazuju izuzetno nisku gustoću struje praga generiranja (npr. 4 mA/cm²) i visoku vanjsku diferencijalnu kvantnu učinkovitost (npr. 36%), s linearnom izlaznom snagom većom od 15 mW.
6. Stabilnost moda valovoda: Laser s ukopanom heterostrukturom ima prednost stabilnosti moda valovoda zbog svog valovodnog mehanizma s indeksom loma i uske širine aktivne trake (oko 2 μm).
7. Izvrsna učinkovitost fotoelektrične pretvorbe: Optimiziranjem procesa epitaksijalnog rasta može se postići visoka unutarnja kvantna učinkovitost i učinkovitost fotoelektrične pretvorbe kako bi se smanjio unutarnji gubitak.
8. Visoka pouzdanost i životni vijek: visokokvalitetna tehnologija epitaksijalnog rasta može pripremiti epitaksijalne ploče s dobrim površinskim izgledom i niskom gustoćom grešaka, poboljšavajući pouzdanost i vijek trajanja proizvoda.
9. Prikladno za razne primjene: epitaksijalni list laserske diode temeljen na GAAS-u široko se koristi u komunikaciji optičkim vlaknima, industrijskim primjenama, infracrvenim i fotodetektorima i drugim područjima.

Glavni načini primjene GaAs laserske epitaksijalne ploče uključuju

1. Optička komunikacija i prijenos podataka: GaAs epitaksijalne pločice naširoko se koriste u području optičkih komunikacija, posebno u optičkim komunikacijskim sustavima velike brzine, za proizvodnju optoelektroničkih uređaja kao što su laseri i detektori.

2. Industrijske primjene: GaAs laserske epitaksijalne ploče također imaju važnu primjenu u industrijskim primjenama, kao što je laserska obrada, mjerenje i očitavanje.

3. Potrošačka elektronika: U potrošačkoj elektronici, GaAs epitaksijalne pločice koriste se za proizvodnju VCsels (laseri koji emitiraju površinu s okomitom šupljinom), koji se široko koriste u pametnim telefonima i drugoj potrošačkoj elektronici.

4. Rf primjene: GaAs materijali imaju značajne prednosti u RF polju i koriste se za proizvodnju RF uređaja visokih performansi.

5. Kvantni laseri s kvantnim točkama: laseri s kvantnim točkama koji se temelje na GAAS-u naširoko se koriste u komunikacijskim, medicinskim i vojnim poljima, posebno u optičkom komunikacijskom pojasu od 1,31 µm.

6. Pasivni Q prekidač: GaAs apsorber koristi se za lasere čvrstog stanja s diodnom pumpom i pasivnim Q prekidačem, koji je prikladan za mikro-strojnu obradu, mjerenje raspona i mikro-kirurgiju.

Ove primjene pokazuju potencijal GaAs laserskih epitaksijalnih ploča u širokom rasponu visokotehnoloških primjena.

XKH nudi GaAs epitaksijalne pločice s različitim strukturama i debljinama prilagođenim zahtjevima kupaca, pokrivajući širok raspon primjena kao što su VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G bazne stanice, itd. XKH-ovi proizvodi se proizvode pomoću napredne MOCVD opreme kako bi se osigurale visoke performanse i pouzdanost. Što se tiče logistike, imamo širok raspon međunarodnih izvornih kanala, možemo fleksibilno obraditi broj narudžbi i pružiti usluge s dodanom vrijednošću kao što su stanjivanje, segmentacija itd. Učinkoviti procesi isporuke osiguravaju isporuku na vrijeme i ispunjavaju zahtjeve kupaca za kvalitetu i rokove isporuke. Nakon dolaska kupci mogu dobiti sveobuhvatnu tehničku podršku i uslugu nakon prodaje kako bi se osiguralo nesmetano puštanje proizvoda u uporabu.