InSb pločica 2 inča 3 inča nedopirana Ntip P orijentacija tipa 111 100 za infracrvene detektore
Značajke
Mogućnosti dopinga:
1. Nedopirano:Ove pločice ne sadrže doping agense i prvenstveno se koriste za specijalizirane primjene kao što je epitaksijalni rast, gdje pločica djeluje kao čisti supstrat.
2.N-tip (Te dopiran):Dopiranje telurom (Te) koristi se za stvaranje pločica N-tipa, koje nude visoku pokretljivost elektrona i čine ih prikladnima za infracrvene detektore, elektroniku velike brzine i druge primjene koje zahtijevaju učinkovit protok elektrona.
3.P-tip (Ge dopiran):Germanijev (Ge) doping koristi se za izradu pločica P-tipa, osiguravajući visoku pokretljivost rupa i nudeći izvrsne performanse za infracrvene senzore i fotodetektore.
Opcije veličine:
1.Vafli su dostupni u promjerima od 2 inča i 3 inča. To osigurava kompatibilnost s različitim procesima i uređajima za proizvodnju poluvodiča.
2. Vafer od 2 inča ima promjer 50,8 ± 0,3 mm, dok pločica od 3 inča ima promjer 76,2 ± 0,3 mm.
Orijentacija:
1. Ploče su dostupne s orijentacijama 100 i 111. Orijentacija 100 idealna je za brzu elektroniku i infracrvene detektore, dok se orijentacija 111 često koristi za uređaje koji zahtijevaju specifična električna ili optička svojstva.
Kvaliteta površine:
1. Ove pločice dolaze s poliranim/ugraviranim površinama za izvrsnu kvalitetu, omogućujući optimalnu izvedbu u primjenama koje zahtijevaju precizne optičke ili električne karakteristike.
2. Priprema površine osigurava nisku gustoću defekata, što ove pločice čini idealnim za aplikacije infracrvene detekcije gdje je dosljednost performansi kritična.
Epi-Spreman:
1. Ove pločice su spremne za epi-stanje, što ih čini prikladnima za primjene koje uključuju epitaksijalni rast gdje će se dodatni slojevi materijala taložiti na pločicu za izradu naprednih poluvodiča ili optoelektroničkih uređaja.
Prijave
1. Infracrveni detektori:InSb pločice se naširoko koriste u proizvodnji infracrvenih detektora, posebno u infracrvenom području srednje valne duljine (MWIR). Neophodni su za sustave noćnog gledanja, termalne slike i vojne primjene.
2. Infracrveni sustavi snimanja:Visoka osjetljivost InSb pločica omogućuje precizno infracrveno snimanje u raznim sektorima, uključujući sigurnost, nadzor i znanstvena istraživanja.
3. Elektronika velike brzine:Zbog svoje visoke mobilnosti elektrona, ove se pločice koriste u naprednim elektroničkim uređajima kao što su tranzistori velike brzine i optoelektronički uređaji.
4. Uređaji s kvantnim jažinama:InSb pločice idealne su za primjenu kvantnih jama u laserima, detektorima i drugim optoelektroničkim sustavima.
Parametri proizvoda
| Parametar | 2 inča | 3 inča |
| Promjer | 50,8±0,3 mm | 76,2±0,3 mm |
| Debljina | 500±5μm | 650±5μm |
| Površinski | Polirano/ugravirano | Polirano/ugravirano |
| Vrsta dopinga | Nedopiran, Te-dopiran (N), Ge-dopiran (P) | Nedopiran, Te-dopiran (N), Ge-dopiran (P) |
| Orijentacija | 100, 111 | 100, 111 |
| Paket | Singl | Singl |
| Epi-Spreman | Da | Da |
Električni parametri za Te dopirani (N-tip):
- Mobilnost: 2000-5000 cm²/V·s
- Otpornost: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Gustoća defekta): ≤2000 defekata/cm²
Električni parametri za Ge dopirani (P-tip):
- Mobilnost: 4000-8000 cm²/V·s
- Otpornost: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Gustoća defekta): ≤2000 defekata/cm²
Pitanja i odgovori (često postavljana pitanja)
P1: Koja je idealna vrsta dopinga za aplikacije infracrvene detekcije?
A1:Te-dopiran (N-tip)pločice su obično idealan izbor za aplikacije infracrvene detekcije, budući da nude visoku pokretljivost elektrona i odlične performanse u infracrvenim detektorima srednje valne duljine (MWIR) i sustavima za snimanje.
P2: Mogu li koristiti ove pločice za elektroničke aplikacije velike brzine?
A2: Da, InSb vafli, posebno oni sN-tip dopingai100 orijentacija, prikladni su za elektroniku velike brzine kao što su tranzistori, uređaji s kvantnim jažinama i optoelektroničke komponente zbog svoje visoke pokretljivosti elektrona.
P3: Koje su razlike između orijentacija 100 i 111 za InSb pločice?
A3: The100orijentacija se obično koristi za uređaje koji zahtijevaju brze elektroničke performanse, dok je111orijentacija se često koristi za specifične primjene koje zahtijevaju različite električne ili optičke karakteristike, uključujući određene optoelektroničke uređaje i senzore.
P4: Koji je značaj značajke Epi-Ready za InSb pločice?
A4: TheEpi-Spremanznačajka znači da je pločica prethodno obrađena za postupke epitaksijalnog taloženja. Ovo je ključno za primjene koje zahtijevaju rast dodatnih slojeva materijala na vrhu ploče, kao što je proizvodnja naprednih poluvodiča ili optoelektroničkih uređaja.
P5: Koje su tipične primjene InSb pločica u području infracrvene tehnologije?
A5: InSb pločice se prvenstveno koriste u infracrvenoj detekciji, termalnim slikama, sustavima za noćno gledanje i drugim tehnologijama infracrvenog senzora. Njihova visoka osjetljivost i nizak šum čine ih idealnim zainfracrvena srednja valna duljina (MWIR)detektori.
P6: Kako debljina pločice utječe na njenu izvedbu?
A6: Debljina pločice igra ključnu ulogu u njezinoj mehaničkoj stabilnosti i električnim karakteristikama. Tanje pločice često se koriste u osjetljivijim primjenama gdje je potrebna precizna kontrola svojstava materijala, dok deblje pločice pružaju povećanu trajnost za određene industrijske primjene.
P7: Kako mogu odabrati odgovarajuću veličinu vafla za svoju aplikaciju?
A7: Odgovarajuća veličina vafla ovisi o specifičnom uređaju ili sustavu koji se dizajnira. Manje pločice (2 inča) često se koriste za istraživanje i manje primjene, dok se veće pločice (3 inča) obično koriste za masovnu proizvodnju i veće uređaje koji zahtijevaju više materijala.
Zaključak
InSb napolitanke u2 inčai3 inčaveličine, sanedopiran, N-tip, iP-tipvarijacije, vrlo su vrijedni u poluvodičkim i optoelektroničkim primjenama, posebno u infracrvenim sustavima detekcije. The100i111orijentacije pružaju fleksibilnost za različite tehnološke potrebe, od brze elektronike do infracrvenih sustava snimanja. Sa svojom iznimnom pokretljivošću elektrona, niskim šumom i preciznom kvalitetom površine, ove pločice su idealne zainfracrveni detektori srednje valne duljinei druge aplikacije visokih performansi.
Detaljan dijagram
