Peć za rast monokristalnog silicija, oprema za rast monokristalnih silicijskih ingota, temperatura do 2100 ℃

Peć za rast monokristalnog silicija, oprema za sustav rasta monokristalnih silicijevih ingota, temperatura do 2100 ℃. Istaknuta slika

Kratki opis:

Peć za rast monokristalnog silicija ključna je oprema za proizvodnju monokristalnih silicijskih šipki visoke čistoće, koje se široko koriste u poluvodičkoj i fotonaponskoj industriji. Monokristalni silicij glavni je materijal u proizvodnji integriranih krugova, solarnih ćelija i drugih elektroničkih uređaja. Peći za rast monokristalnog silicija pretvaraju polisilicijske sirovine u visokokvalitetne monokristalne silicijske šipke korištenjem tehnika kao što su Czochralski (CZ) ili metoda plutajuće zone (FZ).

Osnovna funkcija: Zagrijavanje polisilicijske sirovine do rastaljenog stanja, vođenje i kontrola rasta kristala kroz kristalne sjemenke kako bi se formirale monokristalne silicijske šipke sa specifičnom orijentacijom i veličinom kristala.

Glavne komponente:
Sustav grijanja: Osigurava okruženje visoke temperature, obično korištenjem grafitnih grijača ili visokofrekventnog indukcijskog grijanja.

Lončić: Koristi se za držanje rastaljenog silicija, obično izrađen od kvarca ili grafita.

Sustav podizanja: kontrolira rotaciju i brzinu podizanja sjemenskog kristala kako bi se osigurao ravnomjeran rast kristala.

Sustav kontrole atmosfere: Talina je zaštićena od kontaminacije inertnim plinovima poput argona.

Sustav hlađenja: Kontrolirajte brzinu hlađenja kristala kako biste smanjili toplinsko naprezanje.

Pošaljite nam e-poštu

Značajke

Glavne karakteristike peći za rast monokristalnog silicija

(1) Visokoprecizna kontrola
Kontrola temperature: Precizno kontrolirajte temperaturu zagrijavanja (talište silicija je oko 1414 °C) kako biste osigurali stabilnost taline.
Kontrola brzine podizanja: brzina podizanja sjemenskog kristala kontrolira se preciznim motorom (obično 0,5-2 mm/min), što utječe na promjer i kvalitetu kristala.
Kontrola brzine rotacije: Podesite brzinu rotacije sjemena i lončića kako biste osigurali ravnomjeran rast kristala.

(2) rast visokokvalitetnih kristala
Niska gustoća defekata: Optimizacijom procesnih parametara može se uzgojiti monokristalna silicijska šipka s niskim udjelom defekata i visokom čistoćom.
Veliki kristali: monokristalne silicijeve šipke promjera do 300 mm mogu se uzgajati kako bi se zadovoljile potrebe poluvodičke industrije.

(3) Učinkovita proizvodnja
Automatizirani rad: Moderne peći za rast monokristalnog silicija opremljene su automatiziranim upravljačkim sustavima kako bi se smanjila ručna intervencija i poboljšala učinkovitost proizvodnje.
Energetski učinkovit dizajn: Koristite učinkovite sustave grijanja i hlađenja kako biste smanjili potrošnju energije.

(4) Svestranost
Pogodno za razne procese: podržava CZ metodu, FZ metodu i druge tehnologije rasta kristala.
Kompatibilan s raznim materijalima: Osim monokristalnog silicija, može se koristiti i za uzgoj drugih poluvodičkih materijala (kao što su germanij, galijev arsenid).

Glavne primjene peći za rast monokristalnog silicija

(1) Poluvodička industrija
Proizvodnja integriranih krugova: monokristalni silicij je osnovni materijal za proizvodnju CPU-a, memorije i drugih integriranih krugova.
Uređaj za napajanje: Koristi se za proizvodnju MOSFET-ova, IGBT-ova i drugih poluvodičkih uređaja za napajanje.

(2) Fotonaponska industrija
Solarne ćelije: monokristalni silicij je glavni materijal visokoučinkovitih solarnih ćelija i široko se koristi u proizvodnji fotonaponske energije.
Fotonaponski moduli: Koriste se za proizvodnju monokristalnih silicijskih fotonaponskih modula za poboljšanje učinkovitosti fotoelektrične pretvorbe.

(3) Znanstveno istraživanje
Istraživanje materijala: Koristi se za proučavanje fizikalnih i kemijskih svojstava monokristalnog silicija i razvoj novih poluvodičkih materijala.
Optimizacija procesa: Podržava inovacije i optimizaciju procesa rasta kristala.

(4) Ostali elektronički uređaji
Senzori: Koriste se za proizvodnju visokopreciznih senzora kao što su senzori tlaka i senzori temperature.
Optoelektronički uređaji: koriste se za proizvodnju lasera i fotodetektora.

XKH nudi opremu i usluge za rast monokristalnog silicija u pećima

XKH se fokusira na razvoj i proizvodnju opreme za peći za rast monokristalnog silicija, pružajući sljedeće usluge:

Prilagođena oprema: XKH nudi peći za rast monokristalnog silicija različitih specifikacija i konfiguracija prema zahtjevima kupaca kako bi podržao razne procese rasta kristala.

Tehnička podrška: XKH pruža kupcima potpunu podršku u procesu, od instalacije opreme i optimizacije procesa do tehničkog vodstva za rast kristala.

Usluge obuke: XKH pruža operativnu obuku i tehničku obuku kupcima kako bi osigurao učinkovit rad opreme.

Postprodajna usluga: XKH pruža brzu postprodajnu uslugu i održavanje opreme kako bi osigurao kontinuitet proizvodnje za kupce.

Usluge nadogradnje: XKH pruža usluge nadogradnje i transformacije opreme prema zahtjevima kupaca kako bi se poboljšala učinkovitost proizvodnje i kvaliteta kristala.

Peći za rast monokristalnog silicija osnovna su oprema poluvodičke i fotonaponske industrije, a odlikuju se visokopreciznom kontrolom, visokokvalitetnim rastom kristala i učinkovitom proizvodnjom. Široko se koriste u područjima integriranih krugova, solarnih ćelija, znanstvenih istraživanja i elektroničkih uređaja. XKH pruža naprednu opremu za peći za rast monokristalnog silicija i cijeli niz usluga kako bi podržao kupce u postizanju visokokvalitetne proizvodnje monokristalnih silicijskih šipki, kako bi pomogao razvoju srodnih industrija.