200 mm 8 inča GaN na safirnoj Epi-slojnoj podlozi pločice
Predstavljanje proizvoda
8-inčni GaN-on-Sapphire supstrat je visokokvalitetni poluvodički materijal koji se sastoji od sloja galij nitrida (GaN) uzgojenog na Sapphire supstratu.Ovaj materijal nudi izvrsna svojstva elektroničkog prijenosa i idealan je za izradu poluvodičkih uređaja velike snage i visoke frekvencije.
Metoda proizvodnje
Proizvodni proces uključuje epitaksijalni rast GaN sloja na safirnoj podlozi korištenjem naprednih tehnika kao što je metalno-organsko kemijsko taloženje iz pare (MOCVD) ili epitaksija molekularnim snopom (MBE).Taloženje se provodi u kontroliranim uvjetima kako bi se osigurala visoka kvaliteta kristala i ujednačenost filma.
Prijave
8-inčni GaN-on-Sapphire supstrat nalazi široke primjene u raznim područjima uključujući mikrovalne komunikacije, radarske sustave, bežičnu tehnologiju i optoelektroniku.Neke od uobičajenih aplikacija uključuju:
1. RF pojačala snage
2. Industrija LED rasvjete
3. Komunikacijski uređaji bežične mreže
4. Elektronički uređaji za okruženja s visokim temperaturama
5. Optoelektronički uređaji
Specifikacije proizvoda
-Dimenzija: Veličina supstrata je 8 inča (200 mm) u promjeru.
- Kvaliteta površine: površina je polirana do visokog stupnja glatkoće i pokazuje izvrsnu kvalitetu poput zrcala.
- Debljina: Debljina GaN sloja može se prilagoditi na temelju specifičnih zahtjeva.
- Pakiranje: Podloga je pažljivo pakirana u antistatičke materijale kako bi se spriječilo oštećenje tijekom transporta.
- Orijentacija ravna: supstrat ima specifičnu ravnu orijentaciju za pomoć pri poravnanju pločica i rukovanju tijekom procesa izrade uređaja.
- Ostali parametri: Specifičnosti debljine, otpornosti i koncentracije dopanta mogu se prilagoditi prema zahtjevima kupca.
Sa svojim vrhunskim svojstvima materijala i svestranim primjenama, 8-inčni GaN-on-Sapphire supstrat je pouzdan izbor za razvoj visokoučinkovitih poluvodičkih uređaja u raznim industrijama.
Osim GaN-On-Sapphire, također možemo ponuditi u području primjene energetskih uređaja, obitelj proizvoda uključuje 8-inčne AlGaN/GaN-on-Si epitaksijalne pločice i 8-inčne P-cap AlGaN/GaN-on-Si epitaksijalne napolitanke.U isto vrijeme, inovirali smo primjenu vlastite napredne 8-inčne GaN epitaksije tehnologije u mikrovalnom polju i razvili 8-inčnu AlGaN/GAN-on-HR Si epitaksijsku pločicu koja kombinira visoke performanse s velikom veličinom, niskom cijenom i kompatibilan sa standardnom obradom uređaja od 8 inča.Uz galij nitrid na bazi silicija, također imamo proizvodnu liniju AlGaN/GaN-on-SiC epitaksijalnih pločica kako bismo zadovoljili potrebe kupaca za epitaksijalnim materijalima na bazi galij nitrida na bazi silicija.
Detaljan dijagram
