SiC ploče od 4 inča 6H poluizolirajuće SiC podloge prvoklasne, istraživačke i lažne kvalitete

4 inčne SiC ploče 6H poluizolacijske SiC podloge prvoklasne, istraživačke i lažne kvalitete Istaknuta slika

Kratki opis:

Poluizolirana podloga od silicijevog karbida nastaje rezanjem, brušenjem, poliranjem, čišćenjem i drugom tehnologijom obrade nakon rasta poluizoliranog kristala od silicijevog karbida.Sloj ili višeslojni kristalni sloj uzgaja se na supstratu koji zadovoljava zahtjeve kvalitete kao što je epitaksija, a zatim se mikrovalni RF uređaj izrađuje kombinacijom dizajna kruga i pakiranja.Dostupan kao 2 inča 3 inča 4 incgh 6 inča 8 inča industrijskih poluizoliranih monokristalnih supstrata od silicij karbida za istraživanje i ispitivanje.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Specifikacija proizvoda

Razred			Nivo MPD stupanj proizvodnje (Z stupanj)			Standardni proizvodni stupanj (P stupanj)		Lažna ocjena (D ocjena)
Promjer			99,5 mm~100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Orijentacija vafla			Izvan osi: 4,0° prema < 1120 > ±0,5° za 4H-N, Na osi: <0001>±0,5° za 4H-SI
	4H-SI		≤1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Primarna ravna orijentacija		{10-10} ±5,0°
Primarna ravna duljina		32,5 mm±2,0 mm
Sekundarna ravna duljina		18,0 mm±2,0 mm
Sekundarni stan Orijentacija		Silikon licem prema gore: 90° CW.od prve ravnine ±5,0°
Isključivanje rubova		3 mm
LTV/TTV/Prak/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Hrapavost			C lice				Polirati		Ra≤1 nm
			Si lice	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Rubne pukotine od svjetla visokog intenziteta		Nijedan						Kumulativna duljina ≤ 10 mm, pojedinačna duljina≤2 mm
Šesterokutne ploče svjetlom visokog intenziteta		Kumulativno područje ≤0,05%						Kumulativno područje ≤0,1%
Politipska područja svjetlom visokog intenziteta		Nijedan						Kumulativna površina≤3%
Vizualne inkluzije ugljika		Kumulativno područje ≤0,05%						Kumulativno područje ≤3%
Ogrebotine na silikonskoj površini svjetlom visokog intenziteta		Nijedan						Kumulativna duljina≤1＊promjer pločice
Rubni čipovi visokog intenziteta svjetla		Nije dopušteno ≥0,2 mm širine i dubine						5 dopušteno, ≤1 mm svaki
Kontaminacija površine silicijem visokim intenzitetom		Nijedan
Ambalaža		Kaseta s više pločica ili posuda s jednom pločicom