4H-N 4 inčna SiC supstratna pločica Silicij karbid Proizvodna lutka Istraživački stupanj
Prijave
4-inčne monokristalne podloge od silicij-karbida igraju važnu ulogu u mnogim područjima.Prvo, naširoko se koristi u industriji poluvodiča u pripremi elektroničkih uređaja velike snage kao što su tranzistori snage, integrirani krugovi i moduli snage.Njegova visoka toplinska vodljivost i otpornost na visoke temperature omogućuju mu bolje odvođenje topline i veću radnu učinkovitost i pouzdanost.Drugo, pločice od silicijevog karbida također se koriste u polju istraživanja za provođenje istraživanja novih materijala i uređaja.Osim toga, pločice silicijevog karbida također se naširoko koriste u optoelektronici, poput proizvodnje LED dioda i laserskih dioda.
Specifikacije 4-inčne SiC ploče
4-inčna monokristalna podloga od silicij karbida promjera 4 inča (oko 101,6 mm), završna obrada do Ra < 0,5 nm, debljina 600±25 μm.Vodljivost pločice je N tipa ili P tipa i može se prilagoditi prema potrebama kupaca.Osim toga, čip također ima izvrsnu mehaničku stabilnost, može izdržati određeni pritisak i vibracije.
inčna monokristalna supstratna pločica od silicijevog karbida materijal je visokih performansi koji se široko koristi u poljima poluvodiča, istraživanja i optoelektronike.Ima izvrsnu toplinsku vodljivost, mehaničku stabilnost i otpornost na visoke temperature, što je pogodno za pripremu elektroničkih uređaja velike snage i istraživanje novih materijala.Nudimo razne specifikacije i mogućnosti prilagodbe kako bismo zadovoljili različite potrebe kupaca.Obratite pozornost na našu neovisnu stranicu kako biste saznali više o informacijama o proizvodima od silicijevog karbida.
Ključna djela: pločice od silicij-karbida, monokristalne pločice od silicij-karbida, 4 inča, toplinska vodljivost, mehanička stabilnost, otpornost na visoke temperature, tranzistori snage, integrirani krugovi, moduli snage, LED diode, laserske diode, završna obrada površine, vodljivost, prilagođene opcije