4H-polu HPSI 2 inčna SiC supstratna pločica Production Dummy Research grade

4H-polu HPSI 2 inčna SiC supstratna pločica Proizvodna lažna istraživačka klasa Istaknuta slika

Kratki opis:

2-inčna monokristalna supstratna pločica od silicijevog karbida materijal je visokih performansi s izvanrednim fizičkim i kemijskim svojstvima.Izrađen je od monokristalnog materijala silicijevog karbida visoke čistoće s izvrsnom toplinskom vodljivošću, mehaničkom stabilnošću i otpornošću na visoke temperature.Zahvaljujući visokopreciznom postupku pripreme i visokokvalitetnim materijalima, ovaj je čip jedan od poželjnih materijala za pripremu elektroničkih uređaja visokih performansi u mnogim područjima.

Pošaljite nam e-poštu

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Poluizolacijske SiC pločice supstrata od silicij karbida

Supstrat od silicij-karbida uglavnom se dijeli na vodljivi i polu-izolacijski tip, vodljivi supstrat od silicij-karbida na n-tip supstrata uglavnom se koristi za epitaksijalne LED-ove na bazi GaN-a i druge optoelektroničke uređaje, energetske elektroničke uređaje na bazi SiC-a itd., i polu- izolacijska podloga od SiC silicij karbida uglavnom se koristi za epitaksijalnu proizvodnju GaN radiofrekvencijskih uređaja velike snage.Osim toga, poluizolacija visoke čistoće HPSI i SI poluizolacija je različita, poluizolacija visoke čistoće ima koncentraciju nosača od 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, s visokom mobilnošću elektrona;poluizolacija je materijal visoke otpornosti, otpornost je vrlo visoka, općenito se koristi za supstrate mikrovalnih uređaja, nevodljivi.

Poluizolacijska SiC pločica od silicij karbida

SiC kristalna struktura određuje njegova fizička svojstva, u odnosu na Si i GaAs, SiC ima fizikalna svojstva;širina zabranjene trake je velika, blizu 3 puta veća od Si, kako bi se osiguralo da uređaj radi na visokim temperaturama uz dugoročnu pouzdanost;jakost polja sloma je visoka, 10 puta veća od Si, kako bi se osiguralo da naponski kapacitet uređaja, poboljša vrijednost napona uređaja;brzina zasićenja elektrona je velika, 2 puta veća od Si, kako bi se povećala frekvencija i gustoća snage uređaja;toplinska vodljivost je visoka, više od Si, toplinska vodljivost je visoka, toplinska vodljivost je visoka, toplinska vodljivost je visoka, toplinska vodljivost je visoka, više od Si, toplinska vodljivost je visoka, toplinska vodljivost je visoka.Visoka toplinska vodljivost, više od 3 puta veća od Si, povećavajući kapacitet rasipanja topline uređaja i ostvarujući minijaturizaciju uređaja.