3 inča Dia76.2mm SiC supstrati HPSI Prime Research i Dummy grade

Vodljivi supstrat: odnosi se na otpor 15~30mΩ-cm supstrata od silicij karbida.Epitaksijalna pločica od silicij-karbida uzgojena iz vodljive podloge od silicij-karbida može se dalje izraditi u uređaje za napajanje koji se široko koriste u novim energetskim vozilima, fotonaponskim sustavima, pametnim mrežama i željezničkom transportu.

Poluizolacijski supstrat odnosi se na otpornost veću od 100000Ω-cm supstrat od silicij karbida, koji se uglavnom koristi u proizvodnji mikrovalnih radiofrekventnih uređaja od galij nitrida, osnova je polja bežične komunikacije.

To je osnovna komponenta u području bežične komunikacije.

Vodljivi i poluizolacijski supstrati od silicijevog karbida koriste se u širokom rasponu elektroničkih uređaja i energetskih uređaja, uključujući, ali ne ograničavajući se na sljedeće:

Poluvodički uređaji velike snage (vodljivi): supstrati od silicij karbida imaju visoku jakost probojnog polja i toplinsku vodljivost te su prikladni za proizvodnju energetskih tranzistora i dioda velike snage i drugih uređaja.

RF elektronički uređaji (poluizolirani): supstrati od silicij karbida imaju veliku brzinu prebacivanja i toleranciju snage, prikladni za primjene kao što su RF pojačala snage, mikrovalni uređaji i visokofrekventni prekidači.

Optoelektronički uređaji (poluizolirani): Silicij karbidni supstrati imaju veliki energetski procjep i visoku toplinsku stabilnost, pogodni za izradu fotodioda, solarnih ćelija i laserskih dioda i drugih uređaja.

Senzori temperature (vodljivi): Supstrati od silicij karbida imaju visoku toplinsku vodljivost i toplinsku stabilnost, pogodni za proizvodnju visokotemperaturnih senzora i instrumenata za mjerenje temperature.

Proces proizvodnje i primjene vodljivih i poluizolacijskih podloga od silicij-karbida ima širok raspon područja i potencijala, pružajući nove mogućnosti za razvoj elektroničkih uređaja i energetskih uređaja.